Intel zdobył jedno z najważniejszych w ostatnich latach zamówień dla swojego działu foundry. Według informacji portalu SemiAccurate, Microsoft zleci produkcję nowego akceleratora sztucznej inteligencji Maia 2 w fabrykach Intel Foundry, wykorzystując proces technologiczny 18A lub jego ulepszoną wersję 18A-P. To istotny sygnał dla rynku, iż zewnętrzni klienci zaczynają ufać nowej strategii produkcyjnej Intela.
Nowy proces 18A-P z ulepszoną architekturą RibbonFET i PowerVia
Wersja 18A-P bazuje na drugiej generacji tranzystorów RibbonFET i zintegrowanym zasilaniu PowerVia (zasilanie od spodu). Proces ten zapewnia lepszy stosunek wydajności do poboru energii dzięki obniżonemu napięciu progowemu, zoptymalizowanym elementom ograniczającym upływy prądu i precyzyjniejszemu sterowaniu szerokością „wstęgi” tranzystora. W centrach danych, gdzie liczy się efektywność energetyczna i gęstość mocy, różnice te mogą mieć najważniejsze znaczenie.
Od TSMC do Intela
Pierwsza generacja chipów Microsoft Maia 100 powstała w procesie TSMC N5 z wykorzystaniem technologii interposerowej CoWoS-S. Układ o powierzchni 820 mm² pracuje z TDP 500 W i może osiągnąć do 700 W w maksymalnej konfiguracji. Zawiera 64 GB pamięci HBM2E o przepustowości 1,8 TB/s oraz 500 MB pamięci podręcznej. W szczycie osiąga 3 PetaOPS przy precyzji 6-bit, 1,5 PetaOPS przy 9-bit i 0,8 PetaFLOPS dla BF16.
Lip-Bu Tan: „Panther Lake to początek nowego rozdziału w historii Intela”
18A-PT i 14A dla akceleratorów przyszłości
Jeśli Maia 2 okaże się sukcesem, Microsoft planuje kontynuować współpracę, sięgając po jeszcze bardziej zaawansowane litografie – 18A-PT i 14A. Proces 18A-PT został zaprojektowany z myślą o zastosowaniach HPC i AI, wykorzystujących wieloukładową architekturę chipletową. Wprowadza m.in. nowe warstwy metalizacji, połączenia TSV (through-silicon via) i zaawansowane interfejsy łączenia hybrydowego, umożliwiające tworzenie skalowalnych konstrukcji modułowych.
Dla Intela kontrakt z Microsoftem to nie tylko dowód zaufania, ale też istotny krok w walce o pozycję konkurencyjną wobec TSMC i Samsunga w segmencie produkcji półprzewodników najwyższej klasy.
