Rynek pamięci dla akceleratorów związanych ze sztuczną inteligencją zaczyna przypominać wyścig zbrojeń, w którym jedynie moc GPU przestała wystarczać. Gdy producenci śrubują kolejne generacje HBM, obok głównego nurtu rosną projekty próbujące obejść jego koszty, osiągane temperatury i złożone pakowanie. Jednym z nich jest 3D X-DRAM firmy NEO Semiconductor, które właśnie zaliczyło ważny, choć wciąż wczesny test.