Samsung może wykorzystać proces technologiczny 2 nm do produkcji układów bazowych dla pamięci HBM4E

Rynek pamięci operacyjnej dla akceleratorów sztucznej inteligencji rozwija się bardzo dynamicznie, a konkurencja w tym segmencie stale rośnie. Do najnowszych układów już niedługo trafi pamięć HBM4, tymczasem w sieci coraz częściej pojawiają się informacje o kolejnej generacji - HBM4E. Według najnowszych doniesień Samsung planuje wykorzystać litografię 2 nm do produkcji układów bazowych dla tej pamięci, aby utrzymać przewagę technologiczną w tym segmencie.