„Po opracowaniu w zeszłym roku pierwszej w branży pamięci GDDR7 o pojemności 16 Gb, dzięki temu najnowszemu osiągnięciu firma Samsung umocniła swoją wiodącą pozycję technologiczną na rynku graficznych pamięci DRAM” – powiedział YongCheol Bae, wiceprezes wykonawczy ds. planowania produktów pamięci w Samsung Electronics. „Będziemy przez cały czas przewodzić na rynku graficznych pamięci DRAM, wprowadzając produkty nowej generacji, które odpowiadają rosnącym potrzebom rynku sztucznej inteligencji”. Pamięć GDDR7 o pojemności 24 Gb wykorzystuje pamięć DRAM klasy 10 nanometrów (nm) piątej generacji, która umożliwia zwiększenie gęstości komórek o 50% przy zachowaniu tego samego rozmiaru obudowy co poprzednik.
Oprócz zaawansowanego węzła procesowego zastosowano trzypoziomową sygnalizację modulacji amplitudy impulsu (PAM3), aby pomóc osiągnąć wiodącą w branży prędkość graficznej pamięci DRAM wynoszącą 40 gigabitów na sekundę (Gb/s), co stanowi poprawę o 25% w porównaniu z poprzednią wersja. Wydajność pamięci GDDR7 można dodatkowo zwiększyć do 42,5 Gb/s, w zależności od środowiska użytkowania.
Wydajność energetyczną zwiększono także poprzez zastosowanie po raz pierwszy technologii, które były wcześniej stosowane w produktach mobilnych, w graficznej pamięci DRAM. Wdrażając metody takie jak zarządzanie sterowaniem zegarem i konstrukcja podwójnego VDD, można znacznie zmniejszyć niepotrzebne zużycie energii, co prowadzi do poprawy wydajności energetycznej o ponad 30%.
Aby zwiększyć stabilność operacyjną podczas operacji z dużą szybkością, 24 Gb GDDR7 minimalizuje upływ prądu dzięki zastosowaniu technik projektowania bramkowania mocy.
Walidacja 24 Gb GDDR7 w systemach obliczeniowych AI nowej generacji od głównych klientów procesorów graficznych rozpocznie się w tym roku, a komercjalizacja jest planowana na początku przyszłego roku.
