W świecie, w którym rozwój sztucznej inteligencji (AI) wymaga coraz szybszego przetwarzania danych, kluczowym wyzwaniem pozostaje ograniczenie prędkości pamięci masowych. Chińscy naukowcy z Uniwersytetu Fudan ogłosili przełom – “Poxiao” (pol. “Świt”), najszybszą pamięć flash na świecie, która może zrewolucjonizować nie tylko branżę IT, ale także przyszłość AI, komputerów kwantowych i chmury obliczeniowej.
Czym jest Poxiao i dlaczego to przełom?
“Poxiao” to nowy typ pamięci flash, która może kasować i zapisywać dane w zaledwie 400 pikosekund (1 pikosekunda = 10⁻¹² sekundy). To 100 000 razy szybciej niż tradycyjne dyski flash i choćby szybciej niż SRAM – najszybsza w tej chwili pamięć ulotna stosowana w procesorach.
Kluczowa innowacja polega na całkowitym odejściu od tradycyjnej metody przyspieszania elektronów w tranzystorach bramkowych. Zamiast stopniowego “rozgrzewania” elektronów, naukowcy zastosowali metodę 2D-enhanced hot-carrier injection, pozwalającą na natychmiastowe przejście elektronów w stan wysokiej energii. Dzięki temu udało się złamać barierę teoretyczną, która utrzymywała się od wynalezienia tranzystora bramkowego 60 lat temu.
Dlaczego to ważne dla technologii?
Obecne systemy pamięci masowych mają poważne ograniczenia:
-
Pamięci ulotne (SRAM, DRAM) – szybkie, ale drogie, energochłonne, tracą dane po wyłączeniu zasilania.
-
Pamięci nieulotne (flash, SSD, HDD) – wolniejsze, ale tańsze i trwałe.
Pamięć “Poxiao” łączy zalety obu typów: jest nieulotna, ultraszybka i energooszczędna. Może to oznaczać koniec hierarchii pamięci w komputerach – w przyszłości dysk SSD i RAM staną się jednym urządzeniem, co przyspieszy działanie AI i systemów obliczeniowych.
Potencjalne zastosowania
-
Sztuczna inteligencja – Modele AI, takie jak ChatGPT, wymagają szybkiego dostępu do danych. “Poxiao” może pozwolić na lokalne uruchamianie dużych modeli językowych bez opóźnień.
-
Komputery przyszłości – Eliminacja podziału na RAM i dysk twardy może uprościć architekturę procesorów, zmniejszyć pobór mocy i zwiększyć wydajność.
-
Chmura i Big Data – Szybsze bazy danych i systemy analityczne bez wąskich gardeł w transferze danych.
-
Urządzenia IoT i edge computing – Niskie zużycie energii przy wysokiej wydajności idealnie nadaje się do inteligentnych czujników i urządzeń mobilnych.
Kiedy Poxiao trafi na rynek?
Obecnie prototyp ma pojemność zaledwie kilku kilobajtów, ale zespół z Fudan University planuje w ciągu 5 lat zwiększyć skalę do dziesiątek megabajtów i rozpocząć komercjalizację. jeżeli uda się wdrożyć technologię masowo, może to oznaczać koniec ery tradycyjnych dysków SSD i pamięci RAM w obecnej formie.
Czy to koniec zachodniej dominacji w półprzewodnikach?
Chiny od lat inwestują ogromne środki w rozwój własnych technologii półprzewodnikowych, omijając sankcje nałożone przez USA. Sukces “Poxiao” pokazuje, iż Państwo Środka może wyprzedzić Zachód w kluczowych obszarach elektroniki.
Jednak przed masowym wdrożeniem naukowcy muszą rozwiązać problem skalowalności i kosztów produkcji. jeżeli im się uda, nowa era pamięci masowych może rozpocząć się w Chinach.
“Poxiao” to nie tylko kolejny szybki dysk – to potencjalny game-changer w elektronice. jeżeli technologia się upowszechni, może zrewolucjonizować komputery, AI i centra danych, przyspieszając rozwój technologiczny na niespotykaną skalę.
Czekamy na więcej szczegółów – ale już teraz wiadomo, iż chiński “Świt” może rozświetlić przyszłość pamięci masowych.
Źródła:
- Nature – publikacja naukowa
- Oficjalna strona Uniwersytetu Fudan
- Analiza rynku pamięci flash (TechInsights)
Leszek B. Ślazyk
e-mail: kontakt@chiny24.com
© www.chiny24.com
